N-Kanal 200 V 76 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFB4127PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRFB4127PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB4127PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 76 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB4127PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
150 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5380 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
20mOhm bei 44A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,05000 €4,05 €
102,65100 €26,51 €
1001,85810 €185,81 €
5001,51940 €759,70 €
1.0001,41063 €1.410,63 €
2.0001,31921 €2.638,42 €
5.0001,22037 €6.101,85 €
Standardverpackung des Herstellers
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