N-Kanal 200 V 76 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFB4127PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRFB4127PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB4127PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 76 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB4127PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
150 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5380 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
20mOhm bei 44A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,46000 €3,46 €
102,26900 €22,69 €
1001,59050 €159,05 €
5001,30062 €650,31 €
1.0001,20750 €1.207,50 €
2.0001,12924 €2.258,48 €
5.0001,07704 €5.385,20 €
Standardverpackung des Herstellers
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