N-Kanal 75 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFB3307PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRFB3307PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB3307PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 75 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB3307PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 150µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
180 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5150 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
75 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,3mOhm bei 75A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 847
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,49000 €2,49 €
101,60700 €16,07 €
1001,10500 €110,50 €
5000,89004 €445,02 €
1.0000,82098 €820,98 €
2.0000,76291 €1.525,82 €
5.0000,70012 €3.500,60 €
10.0000,68651 €6.865,10 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:2,49000 €
Stückpreis mit MwSt.:2,96310 €