IRFB4127PBFXKMA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF8010PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF8010PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF8010PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 260W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF8010PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
15mOhm bei 45A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3830 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
260W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Stange
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12,41000 €2,41 €
501,19140 €59,57 €
1001,07340 €107,34 €
5000,86654 €433,27 €
1.0000,80006 €800,06 €
2.0000,74527 €1.490,54 €
Standardverpackung des Herstellers
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