
IRF5210PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF5210PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF5210PBF |
Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 100 V 40 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF5210PBF Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 60mOhm bei 24A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 180 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2700 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,75000 € | 2,75 € |
| 50 | 1,37240 € | 68,62 € |
| 100 | 1,23900 € | 123,90 € |
| 500 | 1,00486 € | 502,43 € |
| 1.000 | 0,92965 € | 929,65 € |
| 2.000 | 0,86643 € | 1.732,86 € |
| 5.000 | 0,85733 € | 4.286,65 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,75000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,27250 € |










