Name: IRF5210PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210PBF-ND
Price: 3.094 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF5210PBF
DigiKey-Teilenr.	IRF5210PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF5210PBF
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 40 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF5210PBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 24A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2700 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRF5210

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	2,60000 €	2,60 €
50	1,24520 €	62,26 €
100	1,21810 €	121,81 €
500	1,00008 €	500,04 €
1.000	0,92522 €	925,22 €
2.000	0,86230 €	1.724,60 €
5.000	0,85328 €	4.266,40 €

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