Name: IQE031N08LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE031N08LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.4272 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

N-Kanal 80 V 18A (Ta), 127A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9

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IQE031N08LM6CGSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE031N08LM6CGSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE031N08LM6CGSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE031N08LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE031N08LM6CGSCATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 18A (Ta), 127A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE031N08LM6CGSCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,15mOhm bei 20A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 50,8µA
Serie OptiMOS™ 6	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 68 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4600 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18A (Ta), 127A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-WHTFN-9
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 9-PowerWDFN

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	2,88000 €	2,88 €
10	2,16600 €	21,66 €
25	1,98680 €	49,67 €
100	1,79000 €	179,00 €
250	1,69608 €	424,02 €
500	1,63954 €	819,77 €
1.000	1,59300 €	1.593,00 €
2.500	1,54386 €	3.859,65 €