Name: IQE013N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.2249 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQE013N04LM6CGSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE013N04LM6CGSCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE013N04LM6CGSCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,35mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 51µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3800 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WHTFN-9-1
Gehäuse / Hülle	9-PowerWDFN