Name: IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 5.9262 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-U02

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQDH45N04LM6CGSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-U02
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,49mOhm bei 50A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 1,449mA
Serie OptiMOS™ 6	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 78 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 12000 pF @ 20 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 58A (Ta), 611A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-WHTFN-9-U02
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 9-PowerWDFN