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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPW65R110CFDAFKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPW65R110CFDAFKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW65R110CFDAFKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 48 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPW65R110CFDAFKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 118 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3240 pF @ 100 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 277,8W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 110mOhm bei 12,7A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,3mA |
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Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 7,62000 € | 7,62 € |
| 30 | 4,37933 € | 131,38 € |
| 120 | 3,66858 € | 440,23 € |
| 510 | 3,14790 € | 1.605,43 € |
| 1.020 | 2,95797 € | 3.017,13 € |
| 2.010 | 2,80152 € | 5.631,06 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 7,62000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 9,06780 € |
