Name: IPW65R018CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R018CFD7XKSA1-ND
Price: 21.6699 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 106 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW65R018CFD7XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPW65R018CFD7XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW65R018CFD7XKSA1
Beschreibung	650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 106 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW65R018CFD7XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 2,91mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 234 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CFD7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11659 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 446W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 106 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPW65R
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 58,2A, 10V

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	18,21000 €	18,21 €
30	11,28733 €	338,62 €
120	9,77217 €	1.172,66 €
510	8,66337 €	4.418,32 €
1.020	8,25924 €	8.424,42 €

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