IPW65R099CFD7AXKSA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW60R024P7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPW60R024P7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW60R024P7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 101 A (Tc) 291W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW60R024P7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
24mOhm bei 42,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 2,03mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7144 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
291W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-41
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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