Name: IPT017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 7.6874 EUR
Availability: InStock

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IPT017N12NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT017N12NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT017N12NM6ATMA1
Beschreibung	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,6V bei 275µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 141 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11000 pF @ 60 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 395W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 29A (Ta), 331A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Basis-Produktnummer IPT017
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,7mOhm bei 150A, 10V