Name: IPT017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.1642 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT017N12NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT017N12NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT017N12NM6ATMA1
Beschreibung	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29A (Ta), 331A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,7mOhm bei 150A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,6V bei 275µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11000 pF @ 60 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 395W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Basis-Produktnummer	IPT017