Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 4.641 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT015N10NF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT015N10NF2SATMA1
Beschreibung	MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-10
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT015N10NF2SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35A (Ta), 315A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5mOhm bei 150A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 267µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	242 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-10
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN