IPP65R150CFDAAKSA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP65R150CFDAAKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPP65R150CFDAAKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP65R150CFDAAKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP65R150CFDAAKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 86 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie CoolMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2340 pF @ 100 V
Verpackung Stange	Verlustleistung (max.) 195,3W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22,4 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 150mOhm bei 9,3A, 10V	Basis-Produktnummer IPP65R150
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 900µA

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Ersatzartikel (7)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IPP65R145CFD7AAKSA1	Infineon Technologies	0	448-IPP65R145CFD7AAKSA1-ND	1,71550 €	Vom Hersteller empfohlen
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