PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
PG-TO220-3-1

IPP60R170CFD7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP60R170CFD7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R170CFD7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 14 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R170CFD7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
170mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 300µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1199 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,45000 €2,45 €
501,38680 €69,34 €
1001,33240 €133,24 €
5001,04336 €521,68 €
1.0000,96651 €966,51 €
2.0000,93061 €1.861,22 €
Standardverpackung des Herstellers
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