Name: IPP60R099CPXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP60R099CPXKSA1-ND
Price: 6.3189 EUR
Availability: InStock

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IPP60R099CPXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPP60R099CPXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP60R099CPXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 31 A (Tc) 255W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP60R099CPXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	99mOhm bei 18A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2800 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	255W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP60R099

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