Name: IPP600N25N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP600N25N3GXKSA1-ND
Price: 3.5105 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP600N25N3GXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP600N25N3GXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP600N25N3GXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 25 A (Tc) 136W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP600N25N3GXKSA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 90µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2350 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP600

Stückpreis ohne MwSt.:	2,95000 €
Stückpreis mit MwSt.:	3,51050 €