IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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Stückpreis : 2,27000 €

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IPP120P04P4L03AKSA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPP120P04P4L03AKSA2-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP120P04P4L03AKSA2
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 120 A (Tc) 136W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP120P04P4L03AKSA2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ P2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,4mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 340µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	15000 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q100
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP120