IPP120N08S404AKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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Infineon Technologies

Vorrätig: 2.249

Stückpreis : 3,16000 €

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IPP120N08S404AKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP120N08S404AKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP120N08S404AKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,4mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 120µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6450 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	179W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP120