IPD65R950CFDATMA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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N-Kanal 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD65R950CFDATMA1

DigiKey-Teilenr.
IPD65R950CFDATMA1-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPD65R950CFDATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 200µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14.1 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
380 pF @ 100 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
36,7W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
950mOhm bei 1,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPD65R950CFDATMA2Infineon Technologies2.094448-IPD65R950CFDATMA2CT-ND1,39000 €Parametrisches Äquivalent
STD6N60M2STMicroelectronics0497-13939-1-ND1,78000 ۀhnlich
STD7N65M2STMicroelectronics68497-15050-1-ND1,80000 ۀhnlich
STD7NM80STMicroelectronics1.319497-8807-1-ND4,11000 ۀhnlich
Obsolet
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