Name: IPD65R650CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R650CEAUMA1TR-ND
Price: 1.4161 EUR
Availability: InStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Hilfe und Unterstützung Status der Bestellung Versandtarife/Optionen Rücksendungen und Probleme bei der Bestellung Impressum

Chat (+49) 30 915 884 91 eu.support@digikey.com Co-Browse

Lokaler Support: Theresienhöhe 11A 80339 München, Germany

IPD65R650CEAUMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD65R650CEAUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD65R650CEAUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD65R650CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD65R650CEAUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 86W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD65R650CEAUMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	650mOhm bei 2,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 210µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	440 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	86W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD65R650

Stückpreis ohne MwSt.:	1,19000 €
Stückpreis mit MwSt.:	1,41610 €