Name: IPD650P06NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD650P06NMATMA1TR-ND
Price: 2.6299 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD650P06NMATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPD650P06NMATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPD650P06NMATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPD650P06NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD650P06NMATMA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 22 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3-313
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD650P06NMATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1,04mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 39 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3-313
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD650
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 65mOhm bei 22A, 10V