Name: IPD60R280P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R280P7ATMA1TR-ND
Price: 2.2491 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD60R280P7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD60R280P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD60R280P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD60R280P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD60R280P7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 53W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD60R280P7ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 190µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 18 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 761 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 53W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD60R
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 280mOhm bei 3,8A, 10V