Name: IPD11DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND
Price: 2.0944 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD11DP10NMATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPD11DP10NMATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPD11DP10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD11DP10NMATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V PG-TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 3,4A (Ta), 22A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD11DP10NMATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,4A (Ta), 22A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	111mOhm bei 18A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3200 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD11D