Name: IPD023N04NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD023N04NF2SATMA1TR-ND
Price: 1.8207 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD023N04NF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPD023N04NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPD023N04NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPD023N04NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD023N04NF2SATMA1
Beschreibung	TRENCH <= 40V
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 27A (Ta), 143A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD023N04NF2SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	27A (Ta), 143A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,3mOhm bei 70A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,4V bei 81µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4800 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD023