Name: IPC100N04S51R9ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S51R9ATMA1TR-ND
Price: 2.0349 EUR
Availability: InStock

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IPC100N04S51R9ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPC100N04S51R9ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPC100N04S51R9ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPC100N04S51R9ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-34
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPC100N04S51R9ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 65 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3770 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-34
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,9mOhm bei 50A, 10V	Basis-Produktnummer IPC100
Vgs(th) (max.) bei Id 3,4V bei 50µA