Name: IPB60R180P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R180P7ATMA1TR-ND
Price: 3.1535 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB60R180P7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB60R180P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB60R180P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB60R180P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB60R180P7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 72W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB60R180P7ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 280µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1081 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 72W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB60R180
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 5,6A, 10V