


IPAW60R180P7SXKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IPAW60R180P7SXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPAW60R180P7SXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPAW60R180P7SXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 280µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1081 pF @ 400 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 26W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220 voller Pack |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 5,6A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 299 | 448-IPA60R180P7SXKSA1-ND | 1,99000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| IXFP22N65X2M | IXYS | 273 | IXFP22N65X2M-ND | 5,97000 € | Ähnlich |
| R6020ENX | Rohm Semiconductor | 242 | R6020ENX-ND | 4,05000 € | Ähnlich |
| STFU28N65M2 | STMicroelectronics | 184 | 497-16307-5-ND | 3,51000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,12000 € | 2,12 € |
| 10 | 1,35800 € | 13,58 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,12000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,52280 € |










