
IPA80R650CEXKSA2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPA80R650CEXKSA2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA80R650CEXKSA2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 8 A (Ta) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3F |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA80R650CEXKSA2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 470µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 33W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3F |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 5,1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| STF9NM60N | STMicroelectronics | 1.359 | 497-12591-5-ND | 2,83000 € | Ähnlich |
| TK9A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 22 | TK9A60D(STA4QM)-ND | 2,51000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,51000 € | 2,51 € |
| 50 | 1,23940 € | 61,97 € |
| 100 | 1,11590 € | 111,59 € |
| 500 | 0,89926 € | 449,63 € |
| 1.000 | 0,82961 € | 829,61 € |
| 2.000 | 0,77107 € | 1.542,14 € |
| 5.000 | 0,70776 € | 3.538,80 € |
| 10.000 | 0,69501 € | 6.950,10 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,51000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,98690 € |








