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Direkter Ersatz

IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 114
Stückpreis : 2,44000 €
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Parametrisches Äquivalent

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PG-TO220-FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA60R190E6XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA60R190E6XKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPA60R190E6XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA60R190E6XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 630µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
IPA60R
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