Name: IMZA75R008M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Price: 33.201 EUR
Availability: InStock

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IMZA75R008M1HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMZA75R008M1HXKSA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 750 V 163 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-U02
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMZA75R008M1HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	750 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	163 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,2mOhm bei 90,3A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 32,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	178 nC @ 500 V
Vgs (Max.)	+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6137 pF @ 500 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	517W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-U02
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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