Name: IMZA65R026M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R026M2HXKSA1-ND
Price: 12.6378 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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IMZA65R026M2HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMZA65R026M2HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMZA65R026M2HXKSA1
Beschreibung	IMZA65R026M2HXKSA1
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 64 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMZA65R026M2HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	64 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	24mOhm bei 34,5A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	42 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1499 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	227W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-8
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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1	10,62000 €	10,62 €
30	6,41200 €	192,36 €
120	5,48983 €	658,78 €
510	5,41929 €	2.763,84 €

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