N-Kanal 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-1
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N-Kanal 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-1
IMZ120R060M1HXKSA1

IMZ120R090M1HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMZ120R090M1HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMZ120R090M1HXKSA1
Beschreibung
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers
39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMZ120R090M1HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,7V bei 3,7mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
21 nC @ 18 V
Serie
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
707 pF @ 800 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
117mOhm bei 8,5A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Stange
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