Name: IMYR140R006M2HXLSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYR140R006M2HXLSA1-ND
Price: 46.2315 EUR
Availability: OutOfStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMYR140R006M2HXLSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMYR140R006M2HXLSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMYR140R006M2HXLSA1
Beschreibung	SIC DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1.4 kV 246A (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-18
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1.4 kV
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	246A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5.8mOhm @ 138.2A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5.1V @ 43.5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	302 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9590 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	974W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-18
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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