Name: IMW65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Price: 14.637 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 189W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41

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IMW65R027M1HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMW65R027M1HXKSA1
Beschreibung	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 189W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMW65R027M1HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 11mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 62 nC @ 18 V
Serie CoolSIC™ M1	Vgs (Max.) +23V, -5V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2131 pF @ 400 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 189W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-41
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 47 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Basis-Produktnummer IMW65R027
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 34mOhm bei 38,3A, 18V

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Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
MSC015SMA070B	Microchip Technology	101	691-MSC015SMA070B-ND	15,20000 €	Ähnlich
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1	12,30000 €	12,30 €
30	7,46900 €	224,07 €
120	6,41008 €	769,21 €
510	5,80218 €	2.959,11 €

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