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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMW65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R020M2HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 61 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 83 A (Tc) 273W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-40 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 9,5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (Max.) +23V, -7V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2038 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 273W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-40 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 46,9A, 20V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 12,89000 € | 12,89 € |
| 30 | 7,86200 € | 235,86 € |
| 120 | 6,75917 € | 811,10 € |
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| Stückpreis ohne MwSt.: | 12,89000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 15,33910 € |
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