IMW120R350M1HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IMW120R350M1HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMW120R350M1HXKSA1
Beschreibung
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 4,7 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMW120R350M1HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
455mOhm bei 2A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,7V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5.3 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
182 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-41
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,03000 €4,03 €
303,21533 €96,46 €
1202,97933 €357,52 €
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.