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IMW120R007M1HXKSA1 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Parametrisches Äquivalent
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMW120R007M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMW120R007M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW120R007M1HXKSA1 |
Beschreibung | SIC DISCRETE |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 225 A (Tc) 750W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMW120R007M1HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V, 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 9,9mOhm bei 108A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,2V bei 47mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 289 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +20V, -5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 9170 pF @ 800 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 750W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO247-3 | |
Gehäuse / Hülle |
0 auf Lager
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 39,24000 € | 39,24 € |
| 30 | 28,61833 € | 858,55 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 39,24000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 46,69560 € |
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