Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 28.7504 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBG65R007M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG65R007M2HXTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMBG65R007M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	238A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,5mOhm bei 146,3A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 2,97mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	179 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6359 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	789W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7-12
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Basis-Produktnummer	IMBG65R007