Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 34.4743 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBG65R007M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG65R007M2HXTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMBG65R007M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 2,97mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 179 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ Gen 2	Vgs (Max.) +23V, -7V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6359 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 789W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-12
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 238A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Basis-Produktnummer IMBG65R007
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,5mOhm bei 146,3A, 18V