Name: IAUTN06S5N008ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND
Price: 6.4974 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUTN06S5N008ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUTN06S5N008ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUTN06S5N008ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUTN06S5N008ATMA1
Beschreibung	MOSFET_)40V 60V)
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 60A (Ta), 350A (Tj) 258W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60A (Ta), 350A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,76mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 275µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	273 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	20280 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	258W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN