Name: IAUCN08S7N019TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N019TATMA1TR-ND
Price: 5.0694 EUR
Availability: InStock

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IAUCN08S7N019TATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUCN08S7N019TATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUCN08S7N019TATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUCN08S7N019TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUCN08S7N019TATMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V(
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 175A (Tj) 180W (Tc) Oberflächenmontage PG-LHDSO-10-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUCN08S7N019TATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3.2V @ 93.4µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 88 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6061 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 175A (Tj)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-LHDSO-10-2
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1.94ミリオーム @ 88A、10V	Gehäuse / Hülle 10-LSOP (0,209", 5,30mm Breite) mit freiliegendem Pad