Name: IAUCN08S7N016TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N016TATMA1TR-ND
Price: 5.0099 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUCN08S7N016TATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUCN08S7N016TATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUCN08S7N016TATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUCN08S7N016TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUCN08S7N016TATMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V(
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 175A (Tj) 205W (Tc) Oberflächenmontage PG-LHDSO-10-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	175A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1.63ミリオーム @ 88A、10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3.2V @ 114µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	107 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7394 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	205W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-LHDSO-10-3
Gehäuse / Hülle	10-LSOP (0,209", 5,30mm Breite) mit freiliegendem Pad