Name: IAUCN04S7N005ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7N005ATMA1TR-ND
Price: 2.975 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUCN04S7N005ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUCN04S7N005ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUCN04S7N005ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUCN04S7N005ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUCN04S7N005ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(20V 40V)
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 175A (Tj) 179W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-43
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUCN04S7N005ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	175A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,55mOhm bei 88A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 95µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8320 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	179W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-43
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN