Name: IAUC80N04S6N036ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC80N04S6N036ATMA1TR-ND
Price: 1.3209 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUC80N04S6N036ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUC80N04S6N036ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUC80N04S6N036ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUC80N04S6N036ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUC80N04S6N036ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 80A 8TDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 80 A (Tc) 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUC80N04S6N036ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,68mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 18µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1338 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	IAUC80