Name: IAUC26N10S5L245ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC26N10S5L245ATMA1TR-ND
Price: 1.428 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUC26N10S5L245ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUC26N10S5L245ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUC26N10S5L245ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUC26N10S5L245ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUC26N10S5L245ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 26A (Tj) 40W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-33
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUC26N10S5L245ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	26A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	24,5mOhm bei 13A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 13µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	762 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	40W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-33
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN