Name: BSZ42DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ42DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.8445 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSZ42DN25NS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ42DN25NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ42DN25NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ42DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ42DN25NS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 5 A (Tc) 33,8W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ42DN25NS3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	425mOhm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 13µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	430 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	33,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8-2
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSZ42DN25