Name: BSZ120P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.0829 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSZ120P03NS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ120P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ120P03NS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 11 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ120P03NS3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Ta), 40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,1V bei 73µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3360 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSZ120