Name: BSZ110N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ110N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 1.7017 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSZ110N08NS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ110N08NS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ110N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ110N08NS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 40 A (Tc) 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ110N08NS5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 22µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	18.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1300 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8-FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSZ110