Name: BSZ019N03LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ019N03LSATMA1TR-ND
Price: 1.1305 EUR
Availability: InStock

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BSZ019N03LSATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ019N03LSATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ019N03LSATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ019N03LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ019N03LSATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ019N03LSATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Ta), 40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2800 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8-FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSZ019

Stückpreis ohne MwSt.:	0,95000 €
Stückpreis mit MwSt.:	1,13050 €