Name: BSS806NEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS806NEH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.3451 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSS806NEH6327XTSA1
DigiKey-Teilenr.	BSS806NEH6327XTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSS806NEH6327XTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSS806NEH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSS806NEH6327XTSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 2,3 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT23
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSS806NEH6327XTSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 2,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	57mOhm bei 2,3A, 2,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	750mV bei 11µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	529 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT23
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	BSS806