Name: BSS223PWH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS223PWH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.2499 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSS223PWH6327XTSA1
DigiKey-Teilenr.	BSS223PWH6327XTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSS223PWH6327XTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSS223PWH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSS223PWH6327XTSA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 390mA (Ta) 250mW (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT323
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSS223PWH6327XTSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	390mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2Ohm bei 390mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,2V bei 1,5µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.62 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	56 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT323
Gehäuse / Hülle	SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer	BSS223